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双极性晶体管（BJT）- 单个
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2SAR587D3TL1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • PNP -3.0A -120V POWER TRANSISTOR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
120V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 100mA，5V
功率 - 最大值
10W
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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