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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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ZTD09N50DE6QTA

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1A
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
270mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
1.1W
频率 - 跃迁
215MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6
供应商器件封装
SOT-26
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor
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MMDT5401-7-F
Diodes Incorporated
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