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双极（BJT）- 单，预偏置
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DTB114GKT146

  • Rohm Semiconductor
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  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
50V
电阻器 - 发射极基底（R2）
10 kOhms
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
56 @ 50mA，5V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA（ICBO）
频率 - 跃迁
200MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SMT3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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