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双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
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NP0G3D200A

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
4.7 千欧，22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）
4.7 千欧，47 千欧
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
20 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
150MHz，80MHz
功率 - 最大值
125mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SSS迷你型6-F1
商品其它信息
优势价格，NP0G3D200A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMB4,115
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
暂无价格
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