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全、半桥驱动器
BS2130F-GE2参考图片

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BS2130F-GE2

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
输出配置
半桥（3）
应用
通用
接口
逻辑
负载类型
电感，电容性
技术
功率 MOSFET，IGBT
导通电阻（典型值）
-
电流 - 输出/通道
350mA
电流 - 峰值输出
-
电压 - 电源
11.5V ~ 20V
电压 - 负载
600V（最大）
工作温度
-40°C ~ 125°C（TA）
特性
自举电路
故障保护
限流，UVLO
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装
28-SOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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