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UGBT、MOSFET - 单
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STGW80H65DFB-4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，80A
功率 - 最大值
469W
开关能量
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
414nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
85ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
商品其它信息
优势价格，STGW80H65DFB-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGA30N65SMD
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IGBT 950V 75A
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