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UGBT、MOSFET - 单
NGTB40N120IHRWG参考图片

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NGTB40N120IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 80A 384W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.55V @ 15V,40A
功率 - 最大值
384W
开关能量
950µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
225nC
25°C 时 Td(开/关)值
-/230ns
测试条件
600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
600V,40A,10 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
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