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UGBT、MOSFET - 单

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SIGC84T120R3LEX1SA7

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
1200V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值
2.1V @ 15V,75A
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-
安装类型
-
封装/外壳
-
供应商器件封装
-
商品其它信息
优势价格,SIGC84T120R3LEX1SA7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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